[16a-W9_324-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45

[16a-W9_324-3] 反応性イオンエッチングにより窒素ドープしたn-Ga₂O₃ (100), (010), (001) 基板の構造および電気的特性評価

峰山 滉正¹、〇東脇 正高^1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)

キーワード：

酸化ガリウム、反応性イオンエッチング、窒素ドーピング

本研究では、反応性イオンエッチングを用いてn-Ga₂O₃ (100), (010), (001) 基板への窒素 (N) ドーピングを実施した。二次イオン質量分析より、試料の表面近傍領域に高濃度Nドーピングが実現し、(010) 試料は (100), (001) 試料よりも深くまでN原子が導入されていることが分かった。また、高温アニールによりN原子の熱拡散が確認され、(010) 試料が最も顕著であった。