[16a-W9_324-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:45 〜 10:00

[16a-W9_324-4] MBE成長した窒素ドープGa₂O₃薄膜中の窒素原子の熱拡散 (2)

稲嶌 仁¹、峰山 滉正¹、本田 智子¹、〇東脇 正高^1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)

キーワード：

酸化ガリウム、窒素、熱拡散

我々はn-Ga₂O₃ (010) 基板上にNドープGa₂O₃ (N = 4 × 10¹⁹, 4 × 10²⁰ cm^-3)、ノンドープGa₂O₃薄膜を順にMBE成長した基板を900℃ – 1100℃でアニール処理したところ、基板およびノンドープ薄膜中へのN原子の熱拡散を確認した。N原子の拡散活性化エネルギーが1.3 – 1.5 eVと見積もられたことから、[010] 方向へのN原子の熱拡散は、格子間メカニズムが支配的であると推察される。