[16a-W9_324-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15

[16a-W9_324-8] ミスト CVD 法による β-Ga₂O₃ 基板へのエピタキシャル NiO 成長

〇余野 正樹¹、石谷 陸渡¹、三宅 正男¹、池之上 卓己¹、土井 俊哉¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、ミストCVD法、エピタキシャル成長

ワイドバンドギャップ半導体β-Ga₂O₃のp型化が困難であることから、NiOとのヘテロ接合が注目されている。本研究では、ミストCVD法を用いて単結晶β-Ga₂O₃基板上にNiOをエピタキシャル成長させた。成膜温度600℃で、(100)、(010)、(001)それぞれにエピタキシャル成長を確認した。特にβ-Ga₂O₃(001)では、NiO (133)[011] // β-Ga₂O₃ (001)[001]の方位関係で成長することが明らかになった。NiO(133)は0.6°傾いて成長し、これはNiO [011]とβ-Ga₂O₃ [001]の酸素配列の一致に起因する。