[16a-WL2_101-1~10] 6.4 薄膜新材料

9:00 〜 9:15

[16a-WL2_101-1] Au蒸着におけるTa添加の悪影響とその解決策

〇稲垣 雄大¹、伊藤 汰一¹、山崎 貴暢¹、小山 政俊²、野口 浩二¹ (1.松田産業株式会社、2.大阪工業大学)

キーワード：

金、タンタル、EB蒸着法

EB蒸着法で形成されたAu薄膜は、化合物半導体デバイスにおいて電極や配線として広く用いられている。しかしEB蒸着中にAu蒸着材料の炭素汚染に起因するAuの飛散が頻繁に発生することで、薄膜欠陥や歩留まり低下の原因となる。そこでAuにTaを添加しAu飛散を抑制する手法があるが、Auの這い上がり現象を誘発し、膜応力や抵抗率を増加させる可能性がある。本研究では、Ta添加とAu中の炭素含有量が薄膜特性に及ぼす影響を調査した。