2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

[16a-WL2_101-1~10]6.4 薄膜新材料

2026年3月16日(月) 9:00 〜 11:45
WL2_101 (西講義棟2)
9:00 〜 9:15

[16a-WL2_101-1]Au蒸着におけるTa添加の悪影響とその解決策

〇稲垣 雄大1、伊藤 汰一1、山崎 貴暢1、小山 政俊2、野口 浩二1 (1.松田産業株式会社、2.大阪工業大学)
9:15 〜 9:30英語発表

[16a-WL2_101-2]Substrate and thickness dependent thermoelectric performance of n-type Si-Ge thin films

〇(P)Madhuvathani Saminathan1, Priyanka Sangwan1, Ryogo Ishihara1, Masaharu Matsunami1, Tsunehiro Takeuchi1 (1.Toyota Tech. Inst.)
9:30 〜 9:45

[16a-WL2_101-3]スパッタ法によるＷ成膜時の内部応力進展モードと結晶成長

〇(B)関根 拓豊1、飯田 大介1、中光 豊2、清田 哲司2、中川 茂樹1 (1.科学大工、2.ULVAC)
9:45 〜 10:00

[16a-WL2_101-4]スパッタリング法による高品質窒化物薄膜のエピタキシャル成長

〇相馬 拓人1、平出 悠士2、新津 甲大2,3、笹原 悠輝4、仙田 敬5、水谷 仁美4、吉松 公平2、安田 啓介5、間嶋 拓也4、組頭 広志1、大友 明2 (1.東北大多元研、2.科学大物質理工、3.NIMS、4.京大院工、5.京府大生命環境)
10:00 〜 10:15

[16a-WL2_101-5]分子線エピタキシー法による新規複窒化物PrTaN2の薄膜合成

〇瀧口 耕介1、クロッケンバーガー ヨシハル1、谷保 芳孝1、山本 秀樹1 (1.NTT物性研)
10:30 〜 10:45

[16a-WL2_101-6]Bi2Se3薄膜イオンゲートトランジスタにおける電気化学インターカレーションとエッチング

〇井上 悠1,2,3、西村 俊亮4、塩貝 純一5,6、塚﨑 敦2,7 (1.産総研、2.東北大金研、3.東北大CSIS、4.東大理、5.阪大理、6.阪大OTRIスピン、7.東大工)
10:45 〜 11:00英語発表

[16a-WL2_101-7]Tuning Schottky Barrier Characteristics at NiAl/p-Si Interfaces for Scalable Infrared Photodetectors

〇(D)ChihHsing WANG1,2, Andrea Ruiz-Perona1,2, Hiroyuki Yamada1, Thien Duc Ngo1, Toan Phuoc Tran1,2, Keisuke Watanabe1, Tadaaki Nagao1,2 (1.NIMS, 2.Hokkaido Univ.)
11:00 〜 11:15英語発表

[16a-WL2_101-8]Autonomous synthesis workflow for oxide thin films

〇Mikk Lippmaa1, Hatong Liang2, Ichiro Takeuchi2 (1.Univ. of Tokyo, 2.Maryland Univ.)
11:15 〜 11:30

[16a-WL2_101-9]YBaFe2O5Fエピタキシャル薄膜の作製および誘電特性・電子状態評価

〇(M1)築地 怜奈1、上垣外 明子1、重松 圭2、組頭 広志3、片山 司4、廣瀬 靖5、近松 彰1 (1.お茶大理、2.科学大フロンティア材料研、3.東北大多元研、4.北大電子研、5.都立大理)
11:30 〜 11:45

[16a-WL2_101-10]格子整合性がTi,W共ド―プVO2薄膜の金属絶縁体転移特性に与える影響

〇村岡 祐治1、稲垣 翔哉2、横谷 尚睦1 (1.岡山大学術研究院、2.岡山大院環境生命自然科学)
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