講演情報
[16a-WL2_101-10]格子整合性がTi,W共ド―プVO2薄膜の金属絶縁体転移特性に与える影響
〇村岡 祐治1、稲垣 翔哉2、横谷 尚睦1 (1.岡山大学術研究院、2.岡山大院環境生命自然科学)
キーワード：
格子整合性、VO2、金属絶縁体転移
薄膜における格子整合性の制御が、高い結晶の秩序性を実現し、優れた特性を引き出すことを(TiVW)O2膜の示す金属絶縁体転移特性を対象にして検証した。その結果、格子ミスマッチの異なる基板のうち、最も格子整合性の高いTiO2(001)基板上の膜において、急峻な転移の様子が電気抵抗測定により観測された。当日は、格子整合度の異なる膜の結果との比較を行い、格子整合性の重要性を議論する。