[16a-WL2_101-1~10] 6.4 薄膜新材料

9:30 〜 9:45

[16a-WL2_101-3] スパッタ法によるＷ成膜時の内部応力進展モードと結晶成長

〇(B)関根 拓豊¹、飯田 大介¹、中光 豊²、清田 哲司²、中川 茂樹¹ (1.科学大工、2.ULVAC)

キーワード：

スパッタ、タングステン薄膜、内部応力

スパッタ薄膜形成時の膜内部応力σは成長過程を反映して特徴的に変化する。我々は成膜中の内部応力をin-situで観測し、膜構造組織や結晶相の相関を評価してきた。本報告ではW膜成膜中におけるスパッタ方式、ガス種、成膜速度など因子について系統的に検討し、その中でW膜の電気抵抗率が低くなる兆候が明瞭であった条件に着目して報告する。
ガス種の変更（Ar→Kr）および高成膜速度化によりα相の成長が促進され、そのメカニズムに非単調な応力変化が関係していることが示唆される。