講演情報
[16a-WL2_101-4]スパッタリング法による高品質窒化物薄膜のエピタキシャル成長
〇相馬 拓人1、平出 悠士2、新津 甲大2,3、笹原 悠輝4、仙田 敬5、水谷 仁美4、吉松 公平2、安田 啓介5、間嶋 拓也4、組頭 広志1、大友 明2 (1.東北大多元研、2.科学大物質理工、3.NIMS、4.京大院工、5.京府大生命環境)
キーワード：
窒化物、スパッタリング、コンビナトリアル
金属窒化物は窒素の高い平衡蒸気圧に起因してバルク単結晶の合成が困難な系であり，その基礎物性解明やデバイス応用にはエピタキシャル成長させた薄膜単結晶が必要不可欠である。発光素子やパワーデバイスとして実用化されているGaN系の薄膜成長には化学気相成長（CVD）法がしばしば用いられるが，スパッタリング法や分子線エピタキシー法などの物理気相成長（PVD）法でも作製が可能である。PVD法では高い組成・結晶相・ナノ構造制御性が得られる一方で，結晶性・表面平坦性・酸素不純物など課題が多い。そこで本研究では，PVD法で高品質な窒化物薄膜を合成するために，超高真空（~10−7 Pa）や高温成長（~1000 °C）が可能なスパッタリング装置を新規構築した。