講演情報
[16a-WL2_101-6]Bi2Se3薄膜イオンゲートトランジスタにおける電気化学インターカレーションとエッチング
〇井上 悠1,2,3、西村 俊亮4、塩貝 純一5,6、塚﨑 敦2,7 (1.産総研、2.東北大金研、3.東北大CSIS、4.東大理、5.阪大理、6.阪大OTRIスピン、7.東大工)
キーワード：
イオンゲートトランジスタ
イオンゲートトランジスタは、電界効果や電気化学インターカレーション、さらには電気化学エッチングを通じて、チャンネル物質の特性を系統的に制御できる手法である。本研究では、トポロジカルバンド構造やトポロジカル超伝導の観点から興味を持たれているBi2Se3の薄膜をチャンネルに用いたイオンゲートトランジスタを作製し、Kインターカレーションによる電気輸送特性の制御及び反応過程の追跡を行ったので報告する。