講演情報
[16a-WL2_401-7]圧力勾配式スパッタ法で作製したアモルファス窒化炭素薄膜の 光誘起変形量における成膜圧力と投入電力の影響
〇(M1)高木 康平1、神谷 和奏1、宮田 晟吾1、佐藤 庸平2、寺内 正己2、島 宏美3、小松 啓志4、青野 祐美1 (1.鹿児島大理工、2.東北大多元、3.防衛大、4.長岡技科大)
キーワード：
薄膜、スパッタリング
反応性高周波(RF)マグネトロンスパッタ法で作製したアモルファス窒化炭素薄膜に可視光を照射すると光誘起変形現象が生じる。本研究では、光誘起変形量の向上を目指し、成膜圧力とRF電力を変化させてアモルファス窒化炭素薄膜を作製し、その化学結合状態を分光学的手法を用いて調べた。その結果、低圧力で作製したアモルファス窒化炭素薄膜はsp²結合の割合が比較的高く、窒素含有率が低い傾向がみられた。