[16p-M_107-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[16p-M_107-5] p+型ポーラスシリコンの形成限界にける印加電流密度依存性

〇(M2)中橋 大輔¹、原田 裕生¹、金 蓮花¹、ジェローズ ベルナール² (1.山梨大学、2.名古屋大)

キーワード：

ポーラスシリコン

本研究では，p⁺型ポーラスシリコンの形成限界における印加電流密度依存性を調べ，さらに多重層形成の可能性を明らかにしたので，報告する．