講演情報
[16p-M_178-4]MEMS技術を活用した新奇構造遠赤外線イメージセンサ
〇原 晋治1、中川 貴大1、城川 眞生子1、川村 宏輝1、小村 英嗣1、青木 進1、一 雅雄1、千里内 忠雄1、太田 尚城1 (1.TDK株式会社 技術・知財本部 応用製品開発センター)
キーワード：
MEMS、遠赤外線イメージセンサ
本発表では、薄膜MEMSプロセス技術を活用して実現した新奇構造遠赤外線イメージセンサを紹介する。本デバイスでは、従来IC側に形成される画素（マイクロボロメータ）アレイを窓側ウエハ上に形成することで、イメージセンサに必須な回路要素や気体分子吸着用ゲッター材を縦方向に積層でき、結果としてチップサイズの縮小およびコスト低減が期待される。また、熱検知材料として薄膜サーミスタを用いることで高感度化と熱履歴影響の抑制を実現した。これらの技術により、低コストかつ高性能な遠赤外線イメージセンサの実現が期待される。