[16p-PA2-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16p-PA2-1] 低温成長Bi系III-V族半導体混晶内に形成された金属凝集体
サイズの熱処理時間依存性

〇(M1C)森本 章太郎¹、有吉 亨介¹、富永 依里子¹、峰久 恵輔²、石川 史太郎² (1.広大先進理工、2.北大量子集積エレクトロニクス研)

キーワード：

Bi系III-V族半導体、低温成長、分子線エピタキシー法