セッション詳細
[16p-PA2-1~6]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2026年3月16日(月) 14:30 〜 16:00
PA2 (アリーナ (1F))
[16p-PA2-1]低温成長Bi系III-V族半導体混晶内に形成された金属凝集体
サイズの熱処理時間依存性
〇(M1C)森本 章太郎1、有吉 亨介1、富永 依里子1、峰久 恵輔2、石川 史太郎2 (1.広大先進理工、2.北大量子集積エレクトロニクス研)
[16p-PA2-2]Evidence of spin state-filling from wetting layer in InAs/GaAs quantum dots
〇Ronel Intal Roca1, Rhenish Simon1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota Tech. Inst.)
[16p-PA2-3]Comparison of Experiment and Simulation of Size-Dependent Photoluminescence of InAs/GaAs(001) Surface Quantum Dots
〇(D)Dean Von Johari C Narag1, Cyril S Salang1, Ronel Christian Roca2, Itaru Kamiya2 (1.UP Diliman, 2.Toyota Tech. Inst.)
[16p-PA2-4]単層及び二層積層InSb量子ドットの発光エネルギー計算
〇大川 拓海1、藤代 博記1、遠藤 聡1 (1.東京理大先進工)
[16p-PA2-5]量子ドット含有薄膜によるフレキシブルな近赤外発光ダイオードの作製と評価
〇大塚 憲吾1、横田 起季1、ハドソン 勇気カール1、尾崎 信彦1 (1.和歌山大シス工)
[16p-PA2-6]InP 系 MOVPE 選択再成長の形状シミュレーション
〇惠良 淳史1、鈴木 涼子1、山口 晴央1、宮崎 泰典1 (1.三菱電機)