講演情報
[16p-PA2-6]InP 系 MOVPE 選択再成長の形状シミュレーション
〇惠良 淳史1、鈴木 涼子1、山口 晴央1、宮崎 泰典1 (1.三菱電機)
キーワード：
半導体、結晶成長、シミュレーション
選択エッチングで形成された段差基板上への、絶縁膜マスクを用いたInP系MOVPE選択再成長において、成長形状を予測するシミュレーションを構築した。In前駆体の気相拡散計算から得られるIn原子取り込み量に対し、面方位依存性を考慮した表面マイグレーション長を標準偏差とするガウス分布を畳み込むことで、段差部におけるInP成長初期形状および成長後表面形状の再現に成功した。また、マスク幅を変化させた際の成長後表面の盛り上がり量について、シミュレーション結果は実験値と良好な一致を示した。