[16p-PA3-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-PA3-10] InAlNおよびn-GaNの電気化学的通電I-V特性

〇森田 廉¹、堺 悠眞²、出浦 桃子²、荒木 努³、藤岡 洋⁴、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.早稲田大理工、3.立命館大理工、4.東大生研)

キーワード：

電気化学、窒化物半導体