セッション詳細
[16p-PA3-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶
2026年3月16日(月) 14:30 〜 16:00
PA3 (アリーナ (1F))
[16p-PA3-1]AlGaN/AlN/サファイアヘテロ成長における結晶学的TiltとTwistに関する研究
〇藤井 滉樹1、松原 優翔1、髙柳 祐介1、高島 祐介1,2、直井 美貴1,2、永松 謙太郎1,2,3 (1.徳島大院創成、2.徳島大pLED、3.徳島大IPHF)
[16p-PA3-2]Vdp 法を用いたホール測定において測定中の光照射や
測定条件の変化がホール電圧の挙動に及ぼす影響
〇澁田 彼方1、小柴 俊1、黒田 雄一郎1、泉 光太郎1、山中 育実1 (1.香川大工)
[16p-PA3-3]Enhancement of light extraction efficiency in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by nanostructure reflection
〇Guodong Hao1, Manabu Taniguchi1, Shin-ichiro Inoue1 (1.NICT)
[16p-PA3-4]スパッタ法およびMBE法で成長させたScAlN の格子定数の機械学習解析
〇小林 篤1、本田 善央2、前田 拓也3、Thai-Son Nguyen4、Huili Grace Xing4、Debdeep Jena4 (1.理科大先進工、2.名大未来研、3.東大院工、4.コーネル大)
[16p-PA3-5]金属・誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の発光増強
〇伊藤 駿1、上田 直毅1、舩戸 魁1、松山 哲也1、村井 俊介1、和田 健司2、船戸 充3、川上 養一3、岡本 晃一1 (1.阪公大院工、2.阪公大研究推進、3.京大院工)
[16p-PA3-6]光水分解におけるNiO/InGaN/n-GaN光陽極の安定性
〇熊倉 一英1、山下 雄大2、平間 一行2、谷保 芳孝2、佐藤 威友1 (1.北大量集セ、2.NTT物性研)
[16p-PA3-7]ファンデルワールスエピタキシー成長した自立InGaN薄膜の発光特性
〇多田 悠真1、南部 利矩1、荒木 努1、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工)
[16p-PA3-8]X線回折法を用いたAlNナノピラーの多角的評価
〇山本 泰司1、翁 哲偉1、齋藤 巧夢2、加藤 晴也2、岩山 章2、岩谷 素顕2 (1.株式会社リガク、2.名城大理工)
[16p-PA3-9]電子後方散乱回折によるGaN薄膜の極性解析
〇松村 賢1、常盤 美怜2、三崎 日出彦2、上岡 義弘2、召田 雅実2 (1.東ソー分析センター、2.東ソー)
[16p-PA3-10]InAlNおよびn-GaNの電気化学的通電I-V特性
〇森田 廉1、堺 悠眞2、出浦 桃子2、荒木 努3、藤岡 洋4、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.早稲田大理工、3.立命館大理工、4.東大生研)
[16p-PA3-11]N極性GaN(0001)表面でのおけるステップ形成エネルギーの評価
〇(M1)田原 大樹1、秋山 亨2,1、河村 貴宏1,2 (1.三重大院工、2.三重大学ICSDF)
