講演情報
[16p-PA3-5]金属・誘電体薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の発光増強
〇伊藤 駿1、上田 直毅1、舩戸 魁1、松山 哲也1、村井 俊介1、和田 健司2、船戸 充3、川上 養一3、岡本 晃一1 (1.阪公大院工、2.阪公大研究推進、3.京大院工)
キーワード：
InGaN、表面プラズモン、量子井戸
本研究では、Al/Al₂O₃薄膜を用いたInGaN/GaN量子井戸の発光増強について報告する。青色発光試料において、プラズモン共鳴や表面再結合抑制等の効果により最大14.4倍の増強を観測した。また、緑色発光試料においても大幅な増強効果を確認している。当日は、これらの増強機構に加え、発光強度の温度依存性やGaNキャップ層厚依存性の解析結果についても議論する。