講演情報
[16p-PA3-7]ファンデルワールスエピタキシー成長した自立InGaN薄膜の発光特性
〇多田 悠真1、南部 利矩1、荒木 努1、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工)
キーワード：
InGaN、分子線エピタキシー、発光特性
次世代発光デバイス応用に向け、グラフェン上ファンデルワールスエピタキシーにより成長した自立 InGaN 薄膜の発光特性を評価した。RF-MBE 法で成長した InGaN を異種基板へ転写し、低温から室温までの発光スペクトルを測定した結果、低温で Near-Band Edge 発光の増強を確認した。また成長温度依存性から、欠陥起因発光の変化が示唆された。