講演情報
[16p-PA3-8]X線回折法を用いたAlNナノピラーの多角的評価
〇山本 泰司1、翁 哲偉1、齋藤 巧夢2、加藤 晴也2、岩山 章2、岩谷 素顕2 (1.株式会社リガク、2.名城大理工)
キーワード：
窒化物半導体、X線回折法、結晶成長
紫外領域レーザーは高電流かつ高出力での動作が求められるため、縦型デバイス構造が有利とされる。この構造を実現するには、ナノピラー加工を施したAlN層に対して加圧・加熱水を用いて剥離を行う技術が報告されている。AlNナノピラーの形成状態は、剥離特性や上層のAlGaN層の結晶性に大きく影響する可能性がある。本発表ではX線回折法を用いた複数の分析手法により、AlNナノピラー層を評価した結果について報告する。