講演情報
[16p-PA4-3]微傾斜Si(110)ウェーハ上に成膜したSiGeC薄膜の表面形状の評価
〇(M1)藤本 雄太1、和田 直之2、鈴木 陽洋2、松川 和人2、松本 光二2、山本 博昭2、山中 淳二1、有元 圭介1 (1.山梨大クリスタル研、2.株式会社SUMCO)
キーワード：
SiGeC、Si(110)
ナノシート型トランジスタの性能向上には正孔移動度の向上が重要であり、(110)面チャネルの有効性が報告されている。ナノシート型トランジスタの形成過程では、Si/SiGe多層構造が用いられる。Si(110)基板上への高均一・平坦なSiGe薄膜形成は困難だが、基板の傾斜により表面平坦性が向上することが知られている。本研究では、さらなる平坦性向上を目指して、微傾斜Si(110)ウェーハ上にSiGeCを成膜し、表面形状の改善効果を検討した。