セッション詳細
[16p-PA4-1~10]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
2026年3月16日(月) 14:30 〜 16:00
PA4 (アリーナ (1F))
[16p-PA4-1]遺伝的アルゴリズムと第一原理計算を併用した SiSn の安定構造探索
〇(D)別宮 響1、末岡 浩治2、野田 祐輔3,4 (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.九工大院情報工、4.九工大 DS・AI 研究センター)
[16p-PA4-2]第一原理計算と組み合わせ最適化の連携によるSiGeSn混晶の安定構造探索
〇松添 宇人1、野田 祐輔1,2、別宮 響3、末岡 浩治4 (1.九工大院情報工、2.九工大DS・AI研究センター、3.岡山県大院情報工系、4.岡山県大情報工)
[16p-PA4-3]微傾斜Si(110)ウェーハ上に成膜したSiGeC薄膜の表面形状の評価
〇(M1)藤本 雄太1、和田 直之2、鈴木 陽洋2、松川 和人2、松本 光二2、山本 博昭2、山中 淳二1、有元 圭介1 (1.山梨大クリスタル研、2.株式会社SUMCO)
[16p-PA4-4]プラズマCVDによるGeワイヤ成長におけるワイヤ配向性・密度への基板温度の影響
〇植松 実生1、小林 信一1 (1.東京工芸大工)
[16p-PA4-5]有機金属気相成長法によるGe ナノワイヤ形成の成長温度依存性
大石 健翔1、澤野 憲太郎1、〇山田 道洋1 (1.都市大総研)
[16p-PA4-6]GOI上歪みSiGeチャネル構造の形成と特性評価
〇郭 遥1、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学)
[16p-PA4-7]Suppression of crack generation and propagation on thick Ge-on-Si (111) by mesa patterning
〇(P)Mohammad Mahfuz Alam1, Yuka Shibahara1, Michihiro Yamada1, Kohei Hamaya2,3,4, Kentarou Sawano1 (1.Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 2.The Univ. of Osaka. Grad. Sch. Eng. Sci., 3.CSRN, The Univ. of Osaka, 4.OTRI, The Univ. of Osaka)
[16p-PA4-8]SiGe/Ge多重量子井戸レーザーダイオードの開発
〇蔡 政坤1、相川 茉由1、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学)
[16p-PA4-9]Ge-on-Si(111)上の歪みSiGe膜の歪み分布評価
〇加藤 惠太郎1、溝口 稜太1、長尾 優希1、萩原 智大1、石橋 脩悟1、相川 茉由1、山田 道洋1、浜屋 宏平2,3、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大 OTRIスピン)
[16p-PA4-10]Ge Crystallization in the Growth of GeS Thin Films Using an Al Catalyst
〇Qinqiang Zhang1, Ryo Matsumura1, Naoki Fukata1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)