講演情報
[16p-PA7-10]CVD法による強誘電体基板上へのh-BNの直接成長
〇稲葉 巧人1、毛利 真一郎1、アブドゥル クドゥス2 (1.立命館大学院、2.立命館大R-GIRO)
キーワード：
h-BN、強誘電体
原子層材料の強誘電デバイス応用へ向け、スペーサー層となるh-BNを強誘電基板の上に直接成長することを試みた。強誘電材料であるニオブ酸リチウム(LN)上に、触媒作用のあるNiを蒸着し、アンモニアボランを原料として1000℃でh-BNの成長を行った。ラマン分光の結果から基板全面でh-BNが成長することが確認されたが、原料の分解によって生じる水素との反応で基板表面に酸化ニオブが形成され表面荒れが生じることもわかったため、今後その改善を図る。