講演情報
[16p-PA7-18]セレン化ガリウム単層膜のエピタキシャル成長とヤヌス化
〇元木 友佑1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
キーワード：
層状物質、セレン化ガリウム、ヤヌス
層状半導体であるセレン化ガリウム(GaSe)は，電界効果トランジスタなどへの応用が期待されている．またGaSe単層膜において，表裏一方の Se を他のカルコゲン元素へ置換するヤヌス構造の合成も，注目を集めている．本研究では，二硫化モリブデン(MoS2)基板上へのGaSe単層膜の分子線エピタキシー成長と，その硫黄雰囲気下アニールによるヤヌス化を試みている．ラマン分光測定では，硫黄アニールの前後でスペクトル形状に変化が見られた．