講演情報
[16p-PA7-28]セレン化インジウムをチャネル層とする電界効果トランジスタの高性能化と動作安定化
〇渡邊 陽斗1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
キーワード：
層状物質、セレン化インジウム、電界効果トランジスタ
InSeをチャネル層として使用したFETは，高い電荷移動度と層状構造に由来する小型化により，高性能素子応用が期待されている．しかしInSeは空気酸化が速く，デバイス化した際の性能低下が著しいという問題を有する．本研究では，SiO2/p++Si基板のHMDS処理によってInSe FETの性能向上を試みるとともに，高絶縁性層状物質であるGaSを保護膜としてInSe上に転写し，劣化の比較を試みた．