講演情報
[16p-PA7-33]MoS2を用いた分子選択性能を持つセンサーデバイスの開発
〇高橋 彩乃1、伊瀬 亘1、横倉 聖也1、和泉 廣樹1、島田 敏宏1 (1.北大工)
キーワード：
遷移金属ダイカルゴゲナイド、水熱合成、分子センサー
MoS2に分子鋳型を導入したセンサーデバイスを作製し性能を評価した。神経伝達物質であるドーパミン(DA)分子の鋳型を導入したMoS2を合成し、マイクロ流路と組み合わせることによりセンサーデバイスとして動作させた。DAを加えて水熱合成したMoS2試料では、DA分子を流路に流している間のみ信号が上昇した。また、流路に流すDA濃度を増加させたとき、信号強度も増加する傾向が見られた。