講演情報
[16p-PA7-35]ITO基板上へのAlHfOの成膜とMoS2デバイスのゲート絶縁膜応用へ向けた検討
田村 天琉1、〇(B)横地 勇汰1、毛利 真一郎1、クドゥス アブドゥル2 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)
キーワード：
MoS2デバイス、高誘電率ゲート絶縁膜
ITO基板上にミストCVD法でAlHfOを成膜し、MoS₂デバイス用ゲート絶縁膜としての適用性を検討した。C-F測定より誘電率は約15を確認し、MoS₂-MOSFETでは電流変調を得たが、高電圧域でリーク電流増加が課題となった。