講演情報
[16p-PA7-4]W前駆体を用いた基板／金界面へのWS2薄膜成長
〇(M1)武居 建汰1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
キーワード：
層状物質、半導体、成長技術
二硫化タングステン（WS2）の原子膜は良好な半導体特性を示し、微細素子への応用が期待できるが、素子の電極堆積プロセスによる薄膜汚染や損傷が課題となっている。その防止のため、本研究では基板と電極金属の界面にWS2薄膜を成長することを試みている。基板上にW前駆体薄膜と金薄膜を順に堆積させた後に加熱硫化処理を行うことで、WS2薄膜が金薄膜下に形成されることが明らかになった。