[16p-PA7-1~40] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[16p-PA7-8] ミストCVDにより成膜した高誘電率絶縁膜上への遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜成長

川上 滉之朗¹、〇(B)松岡 友希¹、田村 天琉¹、クドゥス アブドゥル²、上野 啓司³、リム ホンエン³、白井 肇⁴、毛利 真一郎¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.埼玉大理、4.神奈川大)

キーワード：

MoS2、high-k、CVD

高誘電率絶縁膜(high-k)上への原子層材料の直接成長は、デバイスの微細化と高性能化に不可欠である本研究では、mist CVD法で成膜したAl₁–xTi_xO_y高誘電率絶縁膜上にCVD法で MoS₂を直接成長させ、光学特性およびMOSFET特性を評価した。PLの観測から単層～2層 MoS₂の形成を確認し、ゲート電圧に対する電流変調も得られた。組成比依存性についても議論する。