講演情報
[16p-S2_203-1][第26回業績賞（研究業績）受賞記念講演] MOSトランジスタにおけるキャリア輸送特性の解明と高性能化
〇高木 信一1 (1.帝京大・先端総研)
キーワード：
MOSFET、キャリア輸送特性、移動度
この度は、栄誉ある応用物理学会業績賞を頂きい、深く感謝申し上げます。私は40年以上に渡り一貫して、半導体集積回路の性能に重要な役割を果たすMOSFETの研究に従事し、チャネルとなる反転層中のキャリア輸送現象及びMOS界面特性の物理的理解、MOSFETの高性能化・高信頼性化に関する研究を、産業界におけるSiテクノロジーの進展に合わせて進めて参りました。本講演では、これまでの研究の一端を簡単に紹介させて頂きます。