セッション詳細

[16p-S2_203-1~15]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2026年3月16日(月) 14:00 〜 18:45
S2_203 (南2号館)

[16p-S2_203-2][第47回優秀論文賞受賞記念講演] 先端MOS作製工程におけるSiO2/Si界面欠陥の評価

〇布村 正太1、太田 裕之1、入沢 寿史1、遠藤 和彦1、森田 行則1 (1.産総研)

[16p-S2_203-3][第59回講演奨励賞受賞記念講演] CMOS応用に向けた高不純物濃度Siの極低温伝導度計算の詳細

〇吉永 啓人1、豊島 遼1、多田 宗弘2、内田 建1 (1.東大工、2.慶大)

[16p-S2_203-4](100) Si MOSFETの反転層電子における表面ラフネス散乱移動度の温度依存性

〇高木 信一1、隅田 圭2、韓 雪揚2、靳 釗2、陳 育同2、竹中 充2、トープラサートポン カシディット2 (1.帝京大・先端総研、2.東大院・工)

[16p-S2_203-5]極低温動作MOSFETにおけるサブスレッショルド特性のゲート長依存性

〇(M1)香取 匠1,2、浅井 栄大1、岡 博史1、加藤 公彦1、稲葉 工1、小林 唯華1、森山 悟士2、森 貴洋1 (1.産総研、2.電機大)

[16p-S2_203-6]極低温における SOI MOSFET のコンタクトとヒートシンクによる放熱効果

〇八田 浩輔1、森 貴之1、近藤 祥大1、岡 博史2、森 貴洋2、井田 次郎1 (1.金沢工大、2.産総研)

[16p-S2_203-7]極低温におけるMOSFETの逆短チャネル効果

〇FENG ZIJIA1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)

[16p-S2_203-8]極低温、強反転におけるドレイン電流RTNの起源に関する検討

〇竹内 潔1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、高木 信一3、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研、3.帝京大)

[16p-S2_203-9]極低温におけるバルクおよびFDSOI MOSFETのサブスレッショルド電流ばらつきの解析

〇水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、稲葉 工2、岡 博史2、浅井 栄大2、森 貴洋2、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研)

[16p-S2_203-10]極低温および室温におけるドレイン電流RTN振幅のゲートバイアス依存性

〇竹内 潔1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研)

[16p-S2_203-11]半導体・絶縁体界面における谷分離の発現機構について

〇林 稔晶1、影島 博之2、篠原 康1、登坂 仁一郎1、西口 克彦1 (1.NTT、2.島根大)

[16p-S2_203-13]Undoped Si基板MOSFETにおける光学的キャリア極性の制御(Ⅰ)

〇(DC)三浦 晨1、向山 丈瑛1、尾和 哲大1、生嶋 健司1 (1.農工大院工)

[16p-S2_203-14]Undoped Si基板MOSFETにおける光学的キャリア極性の制御(Ⅱ)

〇(B)向山 丈瑛1、三浦 晨1、尾和 哲大1、生嶋 健司1 (1.農工大院工)

[16p-S2_203-15]電流-電圧特性データのインデックス化によるデバイス管理効率化

〇棚本 哲史1、水谷 朋子2、大野 圭司3、平本 俊郎2 (1.帝京大理工、2.東大生研、3.理研)