セッション詳細
[16p-S2_203-1~15]13.5 デバイス/配線/集積化技術
2026年3月16日(月) 14:00 〜 18:45
S2_203 (南2号館)
[16p-S2_203-1][第26回業績賞(研究業績)受賞記念講演] MOSトランジスタにおけるキャリア輸送特性の解明と高性能化
〇高木 信一1 (1.帝京大・先端総研)
[16p-S2_203-2][第47回優秀論文賞受賞記念講演] 先端MOS作製工程におけるSiO2/Si界面欠陥の評価
〇布村 正太1、太田 裕之1、入沢 寿史1、遠藤 和彦1、森田 行則1 (1.産総研)
[16p-S2_203-3][第59回講演奨励賞受賞記念講演] CMOS応用に向けた高不純物濃度Siの極低温伝導度計算の詳細
〇吉永 啓人1、豊島 遼1、多田 宗弘2、内田 建1 (1.東大工、2.慶大)
[16p-S2_203-4](100) Si MOSFETの反転層電子における表面ラフネス散乱移動度の温度依存性
〇高木 信一1、隅田 圭2、韓 雪揚2、靳 釗2、陳 育同2、竹中 充2、トープラサートポン カシディット2 (1.帝京大・先端総研、2.東大院・工)
[16p-S2_203-5]極低温動作MOSFETにおけるサブスレッショルド特性のゲート長依存性
〇(M1)香取 匠1,2、浅井 栄大1、岡 博史1、加藤 公彦1、稲葉 工1、小林 唯華1、森山 悟士2、森 貴洋1 (1.産総研、2.電機大)
[16p-S2_203-6]極低温における SOI MOSFET のコンタクトとヒートシンクによる放熱効果
〇八田 浩輔1、森 貴之1、近藤 祥大1、岡 博史2、森 貴洋2、井田 次郎1 (1.金沢工大、2.産総研)
[16p-S2_203-7]極低温におけるMOSFETの逆短チャネル効果
〇FENG ZIJIA1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)
[16p-S2_203-8]極低温、強反転におけるドレイン電流RTNの起源に関する検討
〇竹内 潔1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、高木 信一3、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研、3.帝京大)
[16p-S2_203-9]極低温におけるバルクおよびFDSOI MOSFETのサブスレッショルド電流ばらつきの解析
〇水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、稲葉 工2、岡 博史2、浅井 栄大2、森 貴洋2、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研)
[16p-S2_203-10]極低温および室温におけるドレイン電流RTN振幅のゲートバイアス依存性
〇竹内 潔1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研)
[16p-S2_203-11]半導体・絶縁体界面における谷分離の発現機構について
〇林 稔晶1、影島 博之2、篠原 康1、登坂 仁一郎1、西口 克彦1 (1.NTT、2.島根大)
[16p-S2_203-12]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測(18) -捕獲断面積導出法の提案-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
[16p-S2_203-13]Undoped Si基板MOSFETにおける光学的キャリア極性の制御(Ⅰ)
〇(DC)三浦 晨1、向山 丈瑛1、尾和 哲大1、生嶋 健司1 (1.農工大院工)
[16p-S2_203-14]Undoped Si基板MOSFETにおける光学的キャリア極性の制御(Ⅱ)
〇(B)向山 丈瑛1、三浦 晨1、尾和 哲大1、生嶋 健司1 (1.農工大院工)
[16p-S2_203-15]電流-電圧特性データのインデックス化によるデバイス管理効率化
〇棚本 哲史1、水谷 朋子2、大野 圭司3、平本 俊郎2 (1.帝京大理工、2.東大生研、3.理研)
