講演情報
[16p-S2_203-10]極低温および室温におけるドレイン電流RTN振幅のゲートバイアス依存性
〇竹内 潔1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研)
キーワード：
ランダムテレグラフノイズ、MOSFET
近年量子コンピュータへの期待が高まっている。その実現にはインターフェース回路として極低温動作するCMOS（Cryo-CMOS）が必要となるが、極低温での低周波ノイズについての理解はまだ十分ではない。そこで今回我々はドレイン電流のRandom Telegraph Noise（RTN）の振幅に着目し、その挙動が極低温と室温でどのように違うのかをDevice Matrix Arrayを用いて実測し、解析を行った。