講演情報
[16p-S2_203-12]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測(18) -捕獲断面積導出法の提案-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
単一界面欠陥、チャージポンピング、捕獲断面積
電子やホールに対するMOS界面トラップ準位の捕獲断面積を導出する新たな手法を提案した．単一トラップ単位の測定に基づいて得られた”double peak”形状のDOSを用いる点でこれまでの手法と異なる．ESR等によって精確なDOSが得られれば，その2つのピーク位置を一致させることで導出する．この際のフィッティングパラメータが捕獲断面積値のみであることが要である．