講演情報
[16p-S2_203-3][第59回講演奨励賞受賞記念講演] CMOS応用に向けた高不純物濃度Siの極低温伝導度計算の詳細
〇吉永 啓人1、豊島 遼1、多田 宗弘2、内田 建1 (1.東大工、2.慶大)
キーワード：
極低温、ホッピング伝導、半導体
前回の発表では，Siのn型ウェル抵抗について，極低温で支配的になる可変領域ホッピング（VRH）伝導の伝導度計算を行う上での重要な事項として，1) 補償アクセプターによるドナーのイオン化の考慮，2) VRH伝導可能な電子による遮蔽への寄与の考慮，および3) DOSのエネルギー依存性を考慮したホッピング確率の数値計算の３点を挙げた．今回の発表では，これらを含む具体的な計算の詳細について述べる．