講演情報
[16p-S2_203-4](100) Si MOSFETの反転層電子における表面ラフネス散乱移動度の温度依存性
〇高木 信一1、隅田 圭2、韓 雪揚2、靳 釗2、陳 育同2、竹中 充2、トープラサートポン カシディット2 (1.帝京大・先端総研、2.東大院・工)
キーワード：
MOSFET、移動度、表面ラフネス散乱
(100) Si n-MOSFETの移動度の温度依存性を系統的に評価し理論計算と比較した所、提案しているラスネス散乱モデルを用いた理論計算は20-300Kの広い温度範囲で移動度の実験結果を再現できることが分かった。表面ラフネス散乱移動度は室温近傍でも温度依存性を有し、これは低温化によるD4バレー電子の減少が平均電界を低下させ、移動度を向上させることに起因していることが明らかとなった。