講演情報
[16p-S2_203-5]極低温動作MOSFETにおけるサブスレッショルド特性のゲート長依存性
〇(M1)香取 匠1,2、浅井 栄大1、岡 博史1、加藤 公彦1、稲葉 工1、小林 唯華1、森山 悟士2、森 貴洋1 (1.産総研、2.電機大)
キーワード：
Cryo-CMOS、サブスレッショルドスウィング、TCADシミュレーション
量子コンピュータの大規模集積化に向けて極低温下で動作可能なCMOS回路（Cryo-CMOS回路)の活用が提案されている。Cryo-CMOS回路設計に向けて極低温におけるMOSFET動作の理解が必要だが、特性は室温とは大きく異なる事が知られている。今回我々は、サブスレッショルドスウィングのゲート長依存性に着目した評価を行った。その結果、極低温下に特有な サブスレッショルドスウィングのゲート長依存性を観測したのでこれを報告する。