講演情報
[16p-S2_203-8]極低温、強反転におけるドレイン電流RTNの起源に関する検討
〇竹内 潔1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、高木 信一3、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研、3.帝京大)
キーワード：
ランダムテレグラフノイズ、MOSFET
量子コンピュータ実現で必要となる極低温動作CMOS（Cryo-CMOS）の重要性が増しているが、その設計のための低周波ノイズに関する理解はまだ十分ではない。そこで本研究では極低温で明瞭なRandom Telegraph Noise（RTN）を発する少数のデバイスを選別し、その遷移時定数のゲートバイアス依存性を詳しく測定することでRTNの発生原理に関する知見を得ることを試みた。