講演情報
[16p-S2_203-9]極低温におけるバルクおよびFDSOI MOSFETのサブスレッショルド電流ばらつきの解析
〇水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、稲葉 工2、岡 博史2、浅井 栄大2、森 貴洋2、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研)
キーワード：
極低温、ばらつき、サブスレショルド電流
バルクMOSFETおよびFDSOI MOSFETのサブスレッショルド電流のばらつきを，アドレス可能なデバイスマトリクスアレイを用いて 1.5 K および 300 K で評価した．製造プロセスが異なる2種類のバルクMOSFETおよび1種類のFDSOI MOSFETにおいて，共通の傾向が観測された．