[16p-S4_203-1~9] 7.2 電子ビーム応用

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[16p-S4_203-2] ショットキー電子源における仮想光源径の放射角電流密度依存性

〇(M1)林田 侑樹¹、松永 宗一郎^1,2,3、山田 洋一¹ (1.筑波大数理、2.日立製作所、3.日立ハイテク)

キーワード：

電子ビーム、輝度、ショットキー電子源

走査電子顕微鏡の高性能化には，大電流を取り出せる電子源が不可欠である。その一方，高電流動作時にはクーロン効果により仮想光源径が拡大し，輝度が飽和・低下することが課題となる。重要な課題であるにもかかわらず，その影響を実験的に定量評価した例は非常に少ない。そこで本発表では，ショットキー電子源の放射角電流密度を系統的に変化させ，仮想光源径と輝度を測定することでクーロン効果の影響を定量評価した。