セッション詳細

[16p-S4_203-1~9]7.2 電子ビーム応用

2026年3月16日(月) 14:00 〜 16:30
S4_203 (南4号館)

[16p-S4_203-1]境界電荷法による電子源傾斜時の収差特性の解析

〇早田 康成1、岸田 一甫1、村田 英一2 (1.筑波大数理、2.名城大理工)

[16p-S4_203-2]ショットキー電子源における仮想光源径の放射角電流密度依存性

〇(M1)林田 侑樹1、松永 宗一郎1,2,3、山田 洋一1 (1.筑波大数理、2.日立製作所、3.日立ハイテク)

[16p-S4_203-3]ショットキーモードでのLaB6エミッタの面方位ごとの電流特性

〇伊藤 昂陽1、杉山 遥祐1、太田 歩真1、村田 英一1、田中 崇之1、六田 英治1 (1.名城大理工)

[16p-S4_203-4]有機分子からの可視光励起による電子放出のフォトカソード利用検討

〇(D)館農 真斗1、中澤 遼太郎5、畠山 琢次6、三ツ井 真太郎2、石井 久夫1,2,3,4、深川 弘彦1,2,3,4 (1.千葉大融合理工、2.千葉大工、3.千葉大先進、4.千葉大MCRC、5.分子研、6.京大理学研究科)

[16p-S4_203-5]サファイア(0001)面上AlGaAs薄膜の分子線エピタキシャル成長と特性評価

〇和島 颯汰1,2、橋本 英季1,2、佐藤 大樹3、小泉 淳3、西谷 智博3、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ、3.フォトエレクトロンソウル)

[16p-S4_203-7]物体検出モデル支援トモグラフィック電界イオン顕微鏡の開発

李 嘉誉1、世古 卓生1、岩田 達夫1、〇永井 滋一1 (1.三重大院工)

[16p-S4_203-8]窒化ハフニウム薄膜の昇温に伴う表面酸素の結合状態の変化

〇大住 知暉1、後藤 康仁1 (1.京大院工)

[16p-S4_203-9]TiN被膜ボルケーノ構造フィールドエミッタアレイのエミッタ先端曲率半径の推定

〇川崎 祐輔1、村田 英一1、村田 博雅2、長尾 昌善2 (1.名城大理工、2.産総研)