[16p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:00 〜 13:15奨励賞エントリー

[16p-W2_401-1] スパッタ・アニール法により作製したAlN上の薄膜GaN成長とUVC-LEDの高効率化

〇赤池 良太^1,2、安永 弘樹^2,3、中村 孝夫^1,2、小幡 俊之⁴、山下 憲二⁴、土谷 正彦⁴、三宅 秀人^1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機構、4.スタンレー電気)

キーワード：

UVC-LED、AlGaN