講演情報
[16p-W2_401-11]AlGaN 系UV-B LD におけるAlN モル分率制御による発振波長拡張とデバイス特性評価
〇谷川 智也1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、神谷 始音1、宮本 侑茉1、小林 倫太朗1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
半導体レーザー、AlGaN、紫外レーザー
本研究では、AlGaN 系 UV-B レーザダイオードにおいて、量子井戸活性層の AlN モル分率を系統的に制御することで発振波長の拡張とデバイス特性への影響を検討した。井戸層、障壁層およびガイド層の AlN モル分率を最適化した結果、297～326 nm の広い波長域で室温パルス発振を実現した。特に 297～312 nm においては、閾値電流密度 5 kA/cm² 以下の良好な特性が得られた。