[16p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-W2_401-12] Well/Guide 間バンドギャップ差が AlGaN 系 UV-B LDの COD 特性に与える影響

〇(B)北川 賢汰¹、齋藤 巧夢¹、三宅 倫太郎¹、橘田 直樹¹、加藤 晴也¹、渡辺 崚太¹、宮本 侑茉¹、神谷 始音¹、岩山 章¹、三宅 秀人²、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工、2.三重大院工)

キーワード：

半導体、レーザーダイオード、窒化物

AlGaN系UV-B LDの高出力化を目的に、Well層とGuide層間のバンドギャップ差ΔEgが内部ロスおよびCOD特性に与える影響を検討した。Well/Guide間のΔEgを制御した利得導波型LDを作製し、ΔEgの増大により内部ロスα_iが低減することを明らかにした。その結果、最大光出力およびCODレベルが向上し、ΔEgがUV-B LDの高CODレベル化に有効な設計指針であることを示した。