講演情報
[16p-W2_401-13]サファイア基板上AlGaN系レーザーダイオードの318 nm室温CW発振
〇(M2)三宅 倫太郎1、齋藤 功夢1、狩野 祥吾1、神谷 始音1、渡辺 崚太1、岩山 章1、三宅 秀人2、難波江 宏一3、神 好人4、寅丸 雅光4、松本 竜弥4、島崎 好広4、鳥居 博典5、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大工、3.ウシオ電機、4.日本製鋼所、5.JSWアフティ)
キーワード：
半導体レーザ、室温連続波発振
医療・産業応用で需要が高まるUV-B波長帯レーザーに対し、AlGaN系レーザーダイオードの室温連続波（CW）動作は重要課題である。本研究では、半導体積層構造、屈折率導波型リッジ構造、高反射DBRミラーおよびジャンクションダウン実装を最適化し、サファイア基板上AlGaN系LDにおいて波長318 nm、しきい電流64 mA、しきい電流密度8.5 kA/cm²での室温CW発振を初めて達成した。