講演情報
[16p-W2_401-14]AlGaN系UV-Bレーザーダイオードにおける実装構造最適化による熱抵抗低減の検討
〇神谷 始音1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.三重大・院・工)
キーワード：
半導体レーザー
AlGaN系UV-Bレーザーダイオードは室温CW発振が達成されている一方、熱抵抗が高く実用化の障害となっている。本研究では、低熱伝導率材料を用いるという制約下で、実装構造による熱抵抗低減に着目した。ジャンクションアップ、ジャンクションダウン、上下放熱構造について有限要素法解析を行い、放熱経路の違いが熱抵抗に及ぼす影響を比較した。さらに、最適構造におけるサブマウント材料の熱物性の影響について検討した。