[16p-W2_401-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[16p-W2_401-8] AlGaN 系 UV-B レーザーダイオードにおける結晶欠陥とデバイス特性劣化の相関

〇加藤 晴也¹、齋藤 巧夢¹、三宅 倫太郎¹、丸山 竣大¹、佐々木 祐輔¹、狩野 祥吾¹、神谷 始音¹、橘田 直樹¹、渡辺 崚太¹、宮本 侑茉¹、岩山 章¹、三宅 秀人²、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大学、2.三重大学)

キーワード：

半導体レーザー

本研究では、AlGaN 系 UV-B レーザーダイオードにおける結晶欠陥とデバイス特性劣化の相関を検討した。V 状ピット、ヒロック、異物を対象に、p 電極直下の欠陥有無と J–L 特性を一対一で対応付けて評価した結果、いずれの欠陥も閾値電流密度、スロープ効率、最大光出力の劣化を引き起こすキラー欠陥であることが明らかとなった。これら欠陥の制御が、特性安定化および高出力化に重要であることが示唆された。