講演情報
[16p-W2_401-9]低温成長による AlGaN 系 UV-B 半導体レーザー活性層の光学利得特性の改善
〇小林 倫太朗1、丸山 竣大1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 峻太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)
キーワード：
UV-B レーザーダイオード、AlGaN MOVPE結晶成長、利得特性
AlGaNのMOVPE成長では1000~1300 ℃の高温成長が結晶性向上に有効とされるが、UV-B LDの最適成長温度は未解明である。本研究では成長温度を750~1000 ℃で変化させ、光学特性を評価した。その結果、775 ℃成長試料は利得・PL・CL半値幅が小さく、界面組成揺らぎ抑制による利得均一化が示唆された。これらの結果は高温成長が必ずしもLDに最適でない可能性を示している。