セッション詳細
[16p-W8E_101-1~15]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2026年3月16日(月) 13:30 〜 18:00
W8E_101 (西8号館)
[16p-W8E_101-1][第26回業績賞(研究業績)受賞記念講演] 半導体スーパージャンクション ― 発想の経緯
〇藤平 龍彦1 (1.富士電機)
[16p-W8E_101-2]GaN-HEMTターンオフスイッチングにおける電圧サージによる破壊の挙動
〇齋藤 渉1、西澤 伸一1 (1.九大応力研)
[16p-W8E_101-3]4H-SiC UMOSFETのゲートスイッチング時の発光とGSIのモデル
〇熊谷 直樹1、染谷 満1、平井 悠久1、岡本 光央1、畠山 哲夫2 (1.産総研、2.富山県立大学)
[16p-W8E_101-4]高圧ハイブリッド直流遮断器応用に適したSiCパワーデバイスの構造
〇谷本 智1、野村 優貴1、西岡 圭1、中村 孝1 (1.ネクスファイ・テクノロジー)
[16p-W8E_101-5]4H-SiC表面に対するNラジカル窒化過程における熱的N脱離現象の反応機構の理解
〇吉田 遥希1、田村 敦史1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
[16p-W8E_101-6]高温Ar雰囲気中のSiO2分解過程に伴う4H-SiC中の炭素関連欠陥生成の異常促進とそのSiO2形成手法による違い
〇(D)蘇 楠1、呂 楚陽1、田村 敦史1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域 物質系専攻)
[16p-W8E_101-7]SiO2/SiC 構造に対する絶縁膜堆積前水素熱処理および犠牲酸化の効果
〇(B)澤田 翔斗1、小林 拓真1、藤本 博貴1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大工・院工)
[16p-W8E_101-8]極浅カウンタードープ領域を有するSiC MOSFETの作製と評価
〇三上 杏太1、梶原 隆太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
[16p-W8E_101-9]量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証
〇染谷 満1,2、平井 悠久1、熊谷 直樹1、矢野 裕司3、磯部 高範3、細井 卓治2,4、渡部 平司2 (1.産総研、2.阪大院工、3.筑波大、4.NIMS)
[16p-W8E_101-10]ドライ酸化とウェット酸化4H-SiC(0001) MOSFETの界面欠陥の電流検出ESR分光による比較
〇(M2)島袋 聞多1、安達 慧悟1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3 (1.筑波大学 数理物質、2.産総研、3.阪大院工)
[16p-W8E_101-11]SiC MOS界面にトラップされた光誘起電荷とその極性制御
〇(D)尾和 哲大1、三浦 晨1、稲村 文行1、生田 昂1、前橋 兼三1、生嶋 健司1 (1.農工大院工)
[16p-W8E_101-12]シリコンキャップアニール電極を有するショットキーバリアダイオードの長期高温特性
〇福澤 尊仁1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
[16p-W8E_101-13]シリコン空孔量子センサによる炭化ケイ素パワーデバイス電界計測
〇山崎 雄一1、清井 明2、川畑 直之2、渡部 裕貴2、明石 遼介1、大門 俊介1、宮脇 信正1、松下 雄一郎1,3,4、好田 誠1,5,6、大島 武1,5 (1.量研、2.三菱電機、3.東大、4.Quemix、5.東北大、6.ワシントン大)
[16p-W8E_101-14]p 型 SiC エピ層上 SiO2/SiC 界面発光中心の光学及び電気特性評価
〇兼子 悠1、朽木 克博2、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大工・院工、2.豊田中研)
[16p-W8E_101-15]光支援C-V測定によるSiO2/SiC界面発光中心の深い準位評価
〇大西 健太郎1、朽木 克博2、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工、2.豊田中研)
