[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:15 〜 17:30

[16p-W8E_101-13] シリコン空孔量子センサによる炭化ケイ素パワーデバイス電界計測

〇山崎 雄一¹、清井 明²、川畑 直之²、渡部 裕貴²、明石 遼介¹、大門 俊介¹、宮脇 信正¹、松下 雄一郎^1,3,4、好田 誠^1,5,6、大島 武^1,5 (1.量研、2.三菱電機、3.東大、4.Quemix、5.東北大、6.ワシントン大)

キーワード：

量子センサ、電界、シリコン空孔

SiCパワーデバイスはすでに実用化されているが、その設計・故障検知等には電界に関する知見が不可欠である。しかし、デバイス内部の電界を高感度・高空間分解能で計測可能な手法がなく、シミュレーション等を用いざるを得ないのが現状である。今回、V_Si量子センサの電界計測ツールとしての物理的特性について詳細に検証した。