[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[16p-W8E_101-14] p 型 SiC エピ層上 SiO₂/SiC 界面発光中心の光学及び電気特性評価

〇兼子 悠¹、朽木 克博²、原 征大¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大工・院工、2.豊田中研)

キーワード：

炭化ケイ素、単一光子源、MOS界面